СреднийV Технологическая геополитика и ИИ18 октября 2026 г., воскресенье · 10:47 TRT (UTC+3)
Samsung отдаёт базовый кристалл памяти Nvidia на 3-нанометровый техпроцесс TSMC
Seoul Economic Daily 18 октября написала, что Samsung будет заказывать базовый кристалл памяти NVHBM для Nvidia по 3-нанометровому техпроцессу TSMC. Nvidia передала то же требование SK hynix и Micron; ни одна из компаний официально новость не подтвердила.
Базовый кристалл (base die) — логическая микросхема, которая сидит под сложенными слоями памяти и управляет ими. По данным Seoul Economic Daily, стандартные базовые кристаллы HBM4 и HBM4E Samsung выпускает на собственном 4-нанометровом литейном производстве, и эта модель «под ключ» сохранится для других заказчиков, таких как AMD. Для NVHBM, представленной в августе 2026 года, Nvidia потребовала от всех 3 поставщиков 3-нанометровый техпроцесс TSMC и ядро DRAM 1c шестого поколения. В материале говорится, что это станет первым партнёрством двух компаний на этапе производства HBM; прежнее сотрудничество примерно 4 года назад ограничивалось совместимостью при упаковке.
По сводке The Next Web от 19 октября, NVHBM переносит контроллер памяти с графического процессора на базовый кристалл. Физический слой уменьшается на 60% против стандартной HBM, пропускная способность растёт до 30%, потребление энергии падает на 15%. Отраслевые источники говорят, что выход годных на 3-нанометровом техпроцессе TSMC превышает 90%, а на 2-нанометровом процессе Samsung держится около 60%. Tech Monitor отмечает, что это сравнение сопоставляет разные узлы и цифры не подтверждены.
Сторона предложения напряжена. UBS ожидает, что в следующем году спрос на HBM вырастет на 91%, примерно до 61,5 млрд гигабит, а новое предложение останется на 54,6 млрд гигабит; разрыв около 10%. TSMC добавляет на фабрике Fab 18 в Тайнане 2 новые 3-нанометровые линии, которые выйдут на выпуск в 2027 году и в первой половине 2028 года. Samsung на случай нехватки мощностей TSMC тестирует и выпуск базового кристалла NVHBM на собственном литейном производстве. По данным Counterpoint, которые приводит MoneyToday, во втором квартале 2026 года в выручке от HBM SK hynix заняла 50%, Samsung — 33%, Micron — 18%.
Оценка Talay
Вывод
Если новость подтвердится, самый ценный логический слой памяти для искусственного интеллекта смещается от производителей памяти в Корее к единственному литейному производству на Тайване. Nvidia получает единый уровень производительности и единую процедуру валидации у всех поставщиков; в обмен цепочка памяти добавляет ещё одно звено к TSMC, где и так сосредоточена передовая логика. Поскольку компании сообщение не подтвердили, это прочтение пока опирается на единственный источник.
Возможные последствия
- Концентрация на ТайванеНегативноБолее 6 месяцев
Переход базового кристалла к TSMC означает, что перебой в Тайваньском проливе остановит поставки уже не только процессоров, но и памяти для искусственного интеллекта.
- Литейное производство SamsungНегативно1–6 месяцев
Выход годных около 60% на 2 нанометрах проиграл TSMC у самого ценного заказчика; модель «под ключ» остаётся ограниченной клиентами вне Nvidia.
- Предложение HBMНегативно1–6 месяцев
Разрыв около 10%, который прогнозирует UBS, может держать цены памяти высокими до ввода новых 3-нанометровых линий TSMC в 2027 году.
Вероятные сценарии
- 1Все три поставщика переходят к TSMC55 %
SK hynix и Micron тоже принимают требование Nvidia, и базовый кристалл NVHBM собирается на 3-нанометровых линиях TSMC.
Что отслеживать: Заявления о производственной модели NVHBM на презентации SK hynix за третий квартал 29 октября
- 2Смешанная модель30 %
Один из поставщиков проходит валидацию Nvidia со своим базовым кристаллом, либо Samsung становится вторым источником на своём производстве.
Что отслеживать: Сообщения литейного производства Samsung о выходе годных на 2 нанометрах
- 3План откладывают15 %
Из-за мощностей или стоимости график NVHBM сдвигается, и Nvidia продолжает со стандартной HBM4E.
Что отслеживать: Изменение описания памяти в графике платформы нового поколения Nvidia
Вероятности — это откалиброванное суждение на основе источников, а не измерение; они пересматриваются с появлением новых данных. Не является инвестиционной рекомендацией.
Реакция рынка
Затронутые индикаторы
- Разрыв в предложении HBM (2027)▼ ~10%
- Выход годных TSMC 3 нм▲ >90%
- Рост пропускной способности▲ до 30%
Источники
- Seoul Economic Daily — Samsung задействует TSMC для базового кристалла в кастомной HBM от Nvidia
- The Next Web — Nvidia, по сообщениям, хочет, чтобы все поставщики HBM использовали 3-нанометровый техпроцесс TSMC
- Tech Monitor — Samsung сотрудничает с TSMC по кастомным чипам HBM для Nvidia
- MoneyToday — SK hynix готова к очередному рекордному кварталу на спросе на HBM4 и росте цен на память