中V 技术地缘政治与人工智能2026年9月3日, 星期四

中国长鑫存储（CXMT）开始生产高带宽存储器HBM3E，全球DRAM份额达到10%

尽管面临出口管制，中国已能生产用于人工智能芯片的存储器，但仍落后于竞争对手一代。

据Korea JoongAng Daily报道，中国最大的DRAM制造商长鑫存储（CXMT）已开始小规模生产用于人工智能加速器的高带宽存储器HBM3E版本；阿里巴巴旗下平头哥（T-Head）和寒武纪（Cambricon）正在测试该产品。该报道援引SemiAnalysis称，上一代HBM3的良率仅约25%。三星、SK海力士和美光则已处于HBM4阶段。

据Seoul Economic Daily报道，长鑫存储在全球DRAM营收中的份额于2026年第二季度首次达到10%；公司上半年营收为1503亿元人民币。这一进展表明，美国限制先进光刻设备获取的出口管制并未阻止中国存储产能的发展，但维持了技术差距。

Talay 研判

结论

长鑫存储（CXMT）开始小规模生产HBM3E，并在全球DRAM营收中占比达到10%，表明美国出口管制并未阻止中国存储产能扩张，但保住了技术差距。HBM3良率仅约25%，而竞争对手已进入HBM4阶段，预示高端领域一代左右的差距仍将持续。最可能的路径是标准DRAM规模持续扩大，而人工智能存储领域的差距缓慢缩小。

可能影响

全球存储竞争负面1至6个月
长鑫在DRAM领域份额不断扩大，尤其在标准产品上对三星、SK海力士和美光形成价格和市场份额压力。
中国人工智能供应安全正面6个月以上
阿里巴巴平头哥和寒武纪测试国产HBM，长期看可降低中国人工智能加速器对外国存储供应的依赖。
美国出口管制政策不确定1至6个月
在管制下仍实现量产，可能加大华盛顿扩大存储及制造设备限制的压力。

可能情形（按概率排序）

1
逐步追赶，差距犹存65%
长鑫扩大标准DRAM份额，以低良率小批量生产HBM；与竞争对手约一代的差距保持不变。
观察指标: 长鑫季度DRAM营收份额及有关HBM良率的行业报告
2
美国收紧限制25%
华盛顿对长鑫或存储制造设备追加出口限制；HBM产能扩张放缓。
观察指标: 美国商务部针对存储制造商或设备的新限制决定
3
快速技术跃升10%
良率提升快于预期，长鑫接近HBM4水平；中国人工智能芯片大规模转用国产存储。
观察指标: 长鑫宣布HBM4送样或与中国大客户签订批量供货协议

概率是基于来源的校准判断，并非测量结果，会随新信息更新。不构成投资建议。