中V 技术地缘政治与人工智能2026年9月29日, 星期二
三星称明年HBM将占DRAM产能近30%
三星电子副总裁金泰佑（Kim Taewoo）9月29日表示，用于人工智能芯片的HBM存储器，2027年将占据全行业DRAM晶圆总产能的约30%。这一比例目前约为20%；份额扩大可能使标准DRAM供应趋紧。
据Business Recorder 9月29日报道，金泰佑表示，HBM在行业DRAM晶圆产能中的份额将从目前的约20%升至2027年的近30%。HBM即高带宽存储器，由层层堆叠的存储芯片构成，让处理器能够快速访问海量数据。金泰佑说，HBM和标准DRAM争夺同一批晶圆产能，因此HBM每增加一分，都可能挤压标准DRAM的供应。该报道称，这一市场由3家厂商主导：SK海力士、三星电子和美光。
TrendForce 9月29日的汇编援引集微网（ijiwei）称，HBM消耗的晶圆面积约为标准DRAM的3倍。按此计算，仅1颗HBM裸片所占的面积就相当于约3 GB的DDR5内存。因此，HBM份额从20%升至30%，可能使标准DRAM供应以2至3倍的速度收缩。TrendForce上调了2027年HBM价格预期，预计混合平均售价同比上涨121%。此前9月25日已有报道估计，三星将把每月HBM晶圆投片量从180,000片提高到250,000片；新的信息是全行业30%份额的表态。
Talay 研判
结论
人工智能需求正把存储厂商的产能吸向HBM，标准DRAM退居次席。HBM消耗的晶圆面积约为3倍，份额升至30%就意味着手机、电脑和服务器内存供应吃紧。最可能的路径是，2027年全年存储价格居高不下，韩国芯片出口保持强劲。
可能影响
- 存储价格负面1至6个月
标准DRAM供应收紧，会抬高电脑、手机和服务器厂商的内存成本，这些成本将传导到终端售价。
- 韩国出口正面1至6个月
HBM价格预计上涨121%，将通过三星和SK海力士支撑韩国的芯片出口收入。
- 土耳其负面1至6个月
土耳其的电脑、手机和数据中心硬件大部分依赖进口，内存涨价将反映在进口账单和数字化投资成本上。
可能情形（按概率排序）
- 1供应持续紧张60%
HBM份额接近30%，标准DRAM价格在2027年全年保持高位。
观察指标: TrendForce的月度DRAM合约价
- 2新产能填补缺口30%
新工厂和中国厂商的产能部分填补标准DRAM的缺口。
观察指标: 三星和SK海力士新工厂的投产时间表
- 3AI需求放缓10%
人工智能服务器订单放缓，HBM产能过剩，价格下跌。
观察指标: 大型云计算公司的季度资本支出披露
概率是基于来源的校准判断，并非测量结果，会随新信息更新。不构成投资建议。
市场反应
受影响的指标
- 2027年HBM占DRAM晶圆份额▲ 约30%
- HBM混合价格，2027年预测▲ +121%
- HBM晶圆面积，相对DRAM▲ 约3倍