СреднийV Технологическая геополитика и ИИ3 сентября 2026 г., четверг
Китайская CXMT начала производство памяти с высокой пропускной способностью HBM3E, её доля мирового рынка DRAM достигла 10%
Несмотря на экспортный контроль, Китай способен производить память для ИИ-чипов, но отстаёт от конкурентов на одно поколение.
По данным Korea JoongAng Daily, крупнейший производитель DRAM в Китае CXMT начал мелкосерийное производство HBM3E — версии памяти с высокой пропускной способностью, используемой в ИИ-ускорителях; продукт тестируют подразделение Alibaba T-Head и Cambricon. Согласно материалу со ссылкой на SemiAnalysis, выход годных изделий в предыдущем поколении HBM3 составляет лишь около 25%. Samsung, SK Hynix и Micron при этом находятся на этапе HBM4.
По данным Seoul Economic Daily, доля CXMT в мировой выручке рынка DRAM во втором квартале 2026 года впервые достигла 10%; выручка компании за первое полугодие составила 150,3 млрд юаней. Это показывает, что экспортный контроль США, ограничивающий доступ к передовой литографии, не остановил развитие китайских мощностей по выпуску памяти, но сохраняет технологический разрыв.
Оценка Talay
Вывод
Начало мелкосерийного выпуска HBM3E компанией CXMT и достижение ею 10% мировой выручки DRAM показывают, что экспортный контроль США не остановил рост китайских мощностей в памяти, но сохранил технологический разрыв. Выход годных около 25% по HBM3 и переход конкурентов к HBM4 указывают на сохранение отставания на поколение в верхнем сегменте. Наиболее вероятный сценарий — дальнейший рост масштаба в стандартной DRAM и медленное сокращение разрыва в памяти для ИИ.
Возможные последствия
- Глобальная конкуренция в памятиНегативно1–6 месяцев
Растущая доля CXMT в DRAM создаёт ценовое давление и давление на рыночные доли Samsung, SK Hynix и Micron, прежде всего в стандартных продуктах.
- Надёжность поставок для ИИ в КитаеПозитивноБолее 6 месяцев
Тестирование отечественной HBM подразделением T-Head компании Alibaba и Cambricon со временем может снизить зависимость ускорителей ИИ Китая от иностранной памяти.
- Экспортный контроль СШАНеопределённо1–6 месяцев
Начало производства вопреки ограничениям может усилить давление в Вашингтоне в пользу расширения ограничений на память и производственное оборудование.
Вероятные сценарии
- 1Постепенное сближение, разрыв сохраняется65 %
CXMT наращивает долю в стандартной DRAM и выпускает HBM малыми объёмами с низким выходом годных; отставание от конкурентов на поколение сохраняется.
Что отслеживать: Квартальная доля CXMT в выручке DRAM и отраслевые отчёты о выходе годных HBM
- 2Ужесточение ограничений США25 %
Вашингтон вводит дополнительные экспортные ограничения против CXMT или оборудования для производства памяти; рост мощностей HBM замедляется.
Что отслеживать: Новые ограничения Минторга США в отношении производителей памяти или оборудования
- 3Быстрый технологический рывок10 %
Выход годных растёт быстрее ожиданий, CXMT приближается к классу HBM4; китайские чипы ИИ массово переходят на отечественную память.
Что отслеживать: Объявление CXMT о поставке образцов HBM4 или контракты на серийные поставки крупным китайским заказчикам
Вероятности — это откалиброванное суждение на основе источников, а не измерение; они пересматриваются с появлением новых данных. Не является инвестиционной рекомендацией.