三星第二座得州工厂将生产HBM基础芯片

基础芯片是堆叠式HBM存储器最底层的逻辑层，负责管理存储器与处理器之间的数据流。《每日经济新闻》援引业内人士报道，泰勒二厂占地约270万平方英尺，规模是一厂的1.5倍。2纳米产线的订单大部分来自AMD。三星未予置评；路透社表示无法核实这篇11月3日的报道。

日期细节很关键：报道称正式施工将于2026年11月开始，但设备要到2029年2月才会到位。这意味着到2030年之前，HBM基础芯片很可能仍在韩国和台湾生产。泰勒一厂的投资已从170亿美元增至370亿美元。特斯拉165亿美元的合同将填满这条产线，预计2027年开始量产。一厂已根据美国相关法案获得47.5亿美元补贴。

约束在于：2026年HBM短缺中，瓶颈正从存储单元转向基础芯片和封装产能。我们曾在10月29日报道，三星2027年的HBM供应已经售罄。泰勒二厂显示了把这部分产能转移到美国的意图，但要晚4年。据三星预计，2纳米订单量今年将增长130%以上，这证实了晶圆代工端的需求已超过产能。