中V 技术地缘政治与人工智能2026年10月19日, 星期一
英伟达把定制内存基底裸片集中到单一代工厂
据《首尔经济日报》10月18日报道，英伟达要求三家供应商都在台积电的3纳米产线上生产其定制内存的基底裸片。三星在内部评估之后，似已于10月19日前接受。
NVHBM是英伟达2026年8月推出的定制堆叠内存，基底裸片则是堆叠底部的逻辑层。英伟达称，相比标准HBM4E，其带宽最高提升30%，功耗约降低15%，物理层面积缩小60%。供应商为三星、SK海力士和美光，三家都不在自有产线、而在台积电制造基底裸片。
决定背后的数字是良率。业内估计，台积电3纳米产线良率在90%以上，三星2纳米的SF2则停在约60%。三星继续在自有4纳米产线生产标准HBM4和HBM4E的基底裸片，并确认2纳米只是台积电产能紧张时才启用的备份。在台积电10月15日的财报会上，3纳米占第三季度晶圆销售额的33%。
结构性约束在此显现。三家内存厂全部挂到同一家代工厂的同一个节点上，备份优势随之消失。瑞银预计，明年需求将升至约615亿吉比特，即增长91%，新增出货量只有546亿吉比特，缺口约为10%。台积电新建的台南3纳米厂将在2028年上半年进入量产。
Talay 研判
结论
人工智能硬件的咽喉要道正从存储单元移向基底裸片制造。英伟达为了90%以上的良率把三家供应商集中到同一节点，短期提高了产出，代价是给供应链写入单点风险。最可能的方向是，2027年全年台积电3纳米产能的分配谈判成为决定性因素。
可能影响
- 内存厂的议价能力负面1至6个月
基底裸片转到台积电之后，三星和SK海力士来自垂直整合的成本优势收窄，定价权向英伟达一侧移动。
- 供应链集中度负面6个月以上
三家供应商挂在同一个节点上，台湾任何一次产能或生产中断都可能同时停住三个品牌的出货。
- 数据中心投资节奏负面数周内
明年内存缺口预计在10%左右，加速器交付时间可能推后，投资方的部署计划也可能回撤。
可能情形（按概率排序）
- 1台积电确立为单一来源55%
三家供应商都在3纳米生产NVHBM基底裸片，三星的2纳米备份不被启用。
观察指标: 到2027年第一季度，三星没有宣布在SF2产线完成NVHBM基底裸片认证
- 2产能紧张，备份启用30%
3纳米配额不够，三星把2纳米产线作为第二来源投入使用。
观察指标: 三星代工宣布把SF2良率明显提高到60%以上
- 3方案因供应商抵制而改变15%
内存厂为了不把基底裸片交给外部而展开谈判，决定仅限于标准HBM4E。
观察指标: SK海力士或美光宣布把基底裸片留在自有产线
概率是基于来源的校准判断，并非测量结果，会随新信息更新。不构成投资建议。
市场反应
受影响的指标
- 台积电3纳米良率▲ 90%以上
- 三星SF2良率▼ 约60%
- 预计内存供应缺口▼ 10%
- 台积电3纳米销售占比▲ 33%