中V 技术地缘政治与人工智能2026年10月18日, 星期日 · 10:47 土耳其时间 (UTC+3)
三星把英伟达内存基底芯片交给台积电3纳米
《首尔经济日报》10月18日报道，三星将把为英伟达定制的NVHBM内存的基底芯片交由台积电3纳米工艺代工。英伟达向SK海力士和美光也提出了同样要求。相关公司均未正式确认该报道。
基底芯片是位于堆叠内存层下方、负责管理这些层的逻辑芯片。据《首尔经济日报》报道，三星在自家4纳米代工厂生产标准HBM4和HBM4E的基底芯片，这种交钥匙模式对超微半导体等其他客户仍将延续。英伟达则为2026年8月发布的NVHBM，要求三家供应商都采用台积电3纳米工艺和第六代1c DRAM核心。报道称，这将是两家公司在HBM生产环节的首次合作，此前的合作约在4年前，且仅限于封装适配。
据The Next Web 10月19日的综述，NVHBM把内存控制器从图形处理器移到基底芯片上。物理层比标准HBM缩小60%，带宽最高提升30%，功耗下降15%。行业消息人士称，台积电3纳米良率在90%以上，三星2纳米工艺约为60%。Tech Monitor指出，这一比较涉及不同制程节点，数字也未经核实。
供应端偏紧。瑞银预计明年HBM需求将增长91%，达到约615亿吉比特，而新增供应仅为546亿吉比特，缺口约10%。台积电正在台南的十八厂增建2条新的3纳米产线，分别在2027年和2028年上半年投产。三星还在测试在自家代工厂生产NVHBM基底芯片，以防台积电产能不足。据MoneyToday引述的Counterpoint数据，2026年第二季度HBM收入中SK海力士占50%，三星占33%，美光占18%。
Talay 研判
结论
若报道得到确认，人工智能内存中最有价值的逻辑层将从韩国的内存厂商转移到台湾的唯一一家代工厂。英伟达由此在各家供应商之间获得统一的性能和单一的验证流程。代价是内存链条又多出一环挂在台积电身上，而先进逻辑芯片本已集中于此。由于相关公司没有确认，这一判断目前仅有单一来源。
可能影响
- 台湾的集中度负面6个月以上
基底芯片转向台积电，意味着海峡一旦中断，停下的将不只是处理器，还有人工智能内存的供应。
- 三星代工厂负面1至6个月
约60%的2纳米良率在最有价值的客户上输给了台积电，交钥匙模式只能限于英伟达以外的客户。
- HBM供应负面1至6个月
瑞银预计的10%缺口可能让内存价格保持高位，直到台积电新的3纳米产线在2027年投产。
可能情形（按概率排序）
- 1三家供应商全部转向台积电55%
SK海力士和美光也接受英伟达的要求，NVHBM基底芯片集中在台积电3纳米产线。
观察指标: SK海力士10月29日第三季度说明会上关于NVHBM生产模式的表态
- 2混合模式30%
其中一家供应商以自有基底芯片通过英伟达验证，或三星在自家代工厂成为第二来源。
观察指标: 三星代工厂关于2纳米良率的公告
- 3计划推迟15%
因产能或成本原因NVHBM时间表推后，英伟达继续使用标准HBM4E。
观察指标: 英伟达新一代平台时间表中内存定义的变化
概率是基于来源的校准判断，并非测量结果，会随新信息更新。不构成投资建议。
市场反应
受影响的指标
- HBM供应缺口（2027）▼ 约10%
- 台积电3纳米良率▲ 90%以上
- 带宽提升▲ 最高30%