中V 技术地缘政治与人工智能2026年11月6日, 星期五
应英伟达要求，台积电考虑进军存储芯片
据The Information 11月6日报道，应最大客户英伟达的要求，台积电已开始草拟3D DRAM生产方案。公司还在研究收购1座工厂并将其改造为存储芯片产线。
据The Next Web援引彭博社和路透社的11月6日报道，这项工作由负责先进封装的副总经理徐国晋主导。3D DRAM是一种把存储单元垂直堆叠的存储器。台积电正在评估新建工厂或收购现有设施加以改造；截至11月9日，生产时间表尚未确定。据《台北时报》11月9日报道，台积电表示将专注于核心业务，目标是成为逻辑芯片领域可靠的产能供应商，但没有直接回应存储问题。
这一动向的背后是存储芯片短缺；据The Next Web报道，美光预计短缺将持续到2028年。10月，英伟达曾要求三星、SK海力士和美光，用台积电3纳米工艺生产定制HBM的基底层。HBM是在人工智能处理器旁分层堆叠的高带宽存储器，处在2026年短缺的中心。台积电一旦进入，将为这个由3家厂商主导的市场带来新玩家；英伟达未回应置评请求。
Talay 研判
结论
这一方案证实，人工智能硬件的瓶颈正从逻辑芯片转向存储。台积电是否进入尚未证实，也没有时间表；面对持续到2028年的短缺，新建存储工厂并非短期解决办法。最可能的走向是，台积电先在封装和HBM基底层扩大角色，全面生产DRAM的决定则被推迟。
可能影响
- 存储供应负面1至6个月
台积电进入无法在短期内缓解持续到2028年的短缺；新增产能的时间表尚未公布。
- 台湾集中度负面6个月以上
存储产能也向台湾转移，会加大逻辑芯片和存储集中于1个地区的风险。
- 韩国存储厂商不确定6个月以上
三足鼎立格局可能迎来新竞争者，这将考验三星和SK海力士的长期定价能力。
可能情形（按概率排序）
- 1止步于封装和基底层55%
台积电在存储领域只做HBM基底层和封装，DRAM工厂决定推迟。
观察指标: 台积电2027年1月投资者会议上关于存储的表述
- 2宣布收购工厂30%
台积电宣布收购一座设施并改造为3D DRAM产线。
观察指标: 台积电关于收购存储设施的公告
- 3方案搁置15%
台积电坚持晶圆代工模式，正式否认存储计划。
观察指标: 台积电是否正式否认存储计划
概率是基于来源的校准判断，并非测量结果，会随新信息更新。不构成投资建议。
市场反应
受影响的指标
- 存储芯片短缺▼ 持续至2028年